半导体基础知识- P型、N型半导体和他们解释

介绍

在我们之前的文章中我们已经建立详细学习数字电子技术的基础。只是回顾一下到目前为止我们已经介绍了,我们开始通过研究玻尔的原子模型,量子数,泡利不相容原理和能源。现在覆盖后基本理论,我们将采取一些直接相关数字电子技术学习之旅的第一步即pn结。

的pn结

我们了解了半导体基础知识并且知道有两种类型即内在和外在。外在类型进一步分为p型和n型。但是你有没有想过会发生什么,而不是使用单一类型我们结合这两种类型和创建一个块的形式包含两部分p型和n型掺杂物。将这两个部分的飞机显然是被称为结因为这两种类型在这个平面上。你可以想象一个结,一看相邻图这是一个非常简单的草图显示这样一个结。这个结pn结。

离子卫队

上面的图太简单,只显示一个瞬时的位置当结刚刚创建的。结后形成现在实际情况的变化,而不是一个普通的边界所示的分界线在上面的示意图,我们现在有一个更复杂的状态。

让我们看看发生了什么在幕后当两个连接接触。我们知道,p型边多余的孔而n型有多余的电子。我们还知道,相反电荷相互吸引。因此逻辑的结论是,目前这两部分形成一个结,电子将结合孔和中和,很快我们将会有一块是n型和p型只是中性像普通金属。但这不会发生在现实世界中,让我们找出什么是阻止这种情况的发生。

这是预防行离子的看守或带电离子的两边的结。实际上一开始的电子和空穴奔向对面和得到中和,但很快这产生带电离子在边境附近的一个小区域或结。这些离子带正电的n型地区和带负电荷的p型地区。

所以现在说一个新的电子从n型试图冲到另一边,它将吸收一个洞的同一侧依次将中和。假设即使电子在某种程度上能够跨越边境和逃避洞,另一边有带负电荷的离子排斥同样收取电子因此推迟。这个理论同样适用于边境的另一边上的漏洞。这种自动流向其他国的电子和空穴被称为扩散电流。因此最终的结果是,所有的电子和空穴没有得到中和,只有一小部分的建立导致边境附近的一个地区或结,由带电离子,但从任何自由电子或空穴耗尽。

耗尽区

这个地区被称为耗尽区或耗尽层由于缺乏运营商收取。另一点值得注意的是,这些指控的存在也产生了电位差,阻止了进一步的自由电荷载体的运动到另一边。在这种情况下的漂流流的大小相等,方向相反扩散电流因此平衡。这个电压自动出现简单的连接被称为结电压或障碍的潜力。

这个结的实际价值潜力取决于几个因素,包括掺杂浓度,电子电荷、温度等等。